![]()
Sender
V.I.P. |
Зарегистрирован: 19.05.2006
Сообщений: 3806
|
Обратиться по нику
|
| Sender |
Ответить с цитатой | | |
|
Исследователи из Университета Райса (США) разработали новый тип памяти, которая в перспективе может стать альтернативой флеш-накопителям в портативных устройствах.
Гибкий микрочип памяти
Продемонстрированный образец, созданный командой учёных под руководством химика Джеймса Тура (James Tour), обладает прозрачностью и гибкостью. Он выдерживает температуры свыше 500 градусов Цельсия, благодаря чему может функционировать в экстремальных условиях.
Разработка основывается на открытии, сделанном в 2010 году: тогда команде г-на Тура удалось создать элемент памяти на основе оксида кремния SiOх. Такой элемент представляет собой трёхслойную структуру, в центре которой находится диэлектрик (оксид кремния), а по краям — полупроводящие пластины поликристаллического кремния, которые служат электродами. При пропускании электрического тока между ними в слое SiOх образуется проводящая цепочка нанокристаллов кремния размером около 5 нм, выполняющая функции переключателя.
Исследователи полагают, что показанный образец памяти ещё на шаг приближает появление гибкой электроники, в частности мобильных телефонов и компьютеров, способных к трансформации.
Помимо гибкости и прозрачности, новая память имеет ещё одно достоинство: её элементы можно организовать в трёхмерный массив. Благодаря этому повышается плотность хранения информации и уменьшаются габариты конечных устройств.
Исследователи уже ведут переговоры с производителями об организации выпуска чипов памяти нового поколения.
Подготовлено по материалам Университета Райса.
http://science.compulenta.ru/670735/ |
|
|
|
|
