![]()
Sender
V.I.P. |
Зарегистрирован: 19.05.2006
Сообщений: 3806
|
Обратиться по нику
|
| Sender |
Ответить с цитатой | | |
|
Исследователи из Университетского колледжа Лондона (Великобритания) отрапортовали о новых достижениях в области разработки энергонезависимой резистивной памяти с произвольным доступом (ReRAM).
Микрочип памяти ReRAM
Память ReRAM (или RRAM) совмещает достоинства DRAM и флеш-памяти NAND. Микросхемы ReRAM способны обеспечивать приблизительно такое же быстродействие, что и DRAM, оставаясь при этом энергонезависимыми. По сравнению с NAND память нового типа характеризуется меньшим потреблением энергии и на порядок бóльшим числом циклов перезаписи.
Специалистам из Университетского колледжа Лондона, как сообщается, удалось получить первый в мире чип ReRAM на основе оксида кремния, способный функционировать при обычных условиях. Другие похожие изделия работоспособны только в вакууме, что ограничивает сферу их применения.
Исследователи подчёркивают, что новый микрочип по сравнению с флеш-памятью требует в 1 000 раз меньше энергии и обеспечивает 100-кратный прирост производительности. Предложенная технология также открывает путь к созданию прозрачных чипов памяти.
Предполагается, что в перспективе микросхемы ReRAM будут использоваться в персональных компьютерах, карманных медиаплеерах, видеокамерах, различных мобильных устройствах и пр.
Подготовлено по материалам Университетского колледжа Лондона.
http://science.compulenta.ru/680452/ |
|
|
|
|
