![]()
Sender
V.I.P. |
Зарегистрирован: 19.05.2006
Сообщений: 3806
|
Обратиться по нику
|
| Sender |
Ответить с цитатой | | |
|
Исследователи из Аргоннской национальной лаборатории (США) под общим руководством Филиппа Райана (Philip Ryan) смогли экспериментально показать способность европий-титановых оксидов иметь свойства магнитоэлектриков.
В центре кристаллической решётки такого материала находится атом титана, окружённый «клеткой» из атомов европия и кислорода. Если на кристалле из этого материала с плотной решёткой нарастить дополнительный слой EuTiO3, то возросшее давление на вещество в изолированной центральной части структуры позволит при приложении электрического тока стронуть с места атом титана, который в силу этого электрически поляризует всю систему. Одновременно такой сдвиг изменит магнитную упорядоченность материала.
Как отмечает Филипп Райан, европий и титан вместе влияют на ситуацию: положение атома титана контролирует электрическое поведение материала, а европий отвечает за его магнитные свойства.
Необычная структура EuTiO3 стала ключом к магнитоэлектрическим возможностям этого материала. (Иллюстрация ANL.)
Новый подход к «скрещиванию» магнитных и электрических эффектов может иметь ключевое значение для создания магнитоэлектрической памяти, обладающей рядом потенциальных преимуществ перед существующими образцами памяти.
Во-первых, хотя память на электрических эффектах быстрее и энергоэффективнее, она менее надёжна, чем основанная на магнитных эффектах. Именно это противоречие заставляет ваш компьютер использовать оперативную память и, отдельно от неё, винчестер. Если бы такие свойства можно было варьировать в одном материале, память стала бы единой. А переброска массивов информации из информационных «закромов Родины» была бы не в пример молниеносней и не нагружала бы при этом шину.
Другой плюс магнитоэлектрических материалов — это возможность, используя взаимосвязь магнитных и электрических параметров каждой отдельной ячейки памяти, перейти от двоичного кодирования к принципиально иной системе, когда минимальной единице памяти соответствует не только «0» или «1», а куда большее количество значений.
Отчёт об исследовании опубликован в журнале Nature Communications..
Подготовлено по материалам Аргоннской национальной лаборатории.
http://science.compulenta.ru/735570/ |
|
|
|
|
