АРМАДА
На основе оксида кремния создан элемент памяти
Новая тема Написать ответ

Sender
V.I.P.
Зарегистрирован: 19.05.2006
Сообщений: 3806
Обратиться по нику
# Добавлено:Ср Сен 01, 2010 12:44 pmДобавить в избранноеОтветить с цитатой
Инженеры из Университета Райса (США) создали элемент памяти на основе оксида кремния SiOх.

Разрабатывая новый тип элемента, учёные ориентировались на результаты экспериментов, проведённых в прошлом году: тогда им удалось сконструировать запоминающее устройство с использованием 10-нанометровых графитовых полосок, которые разрывались и снова соединялись под действием тока. Исследователи довольно долго пытались улучшить свойства схемы, пробуя заменять графит другими материалами, но особого успеха не добились.

Как оказалось, подобная схема легко обходится вообще без металлов и углеродных материалов. Новый вариант элемента памяти представляет собой трёхслойную структуру, в центре которой находится диэлектрик (оксид кремния), а по краям — полупроводящие пластины поликристаллического кремния, которые служат электродами. При пропускании электрического тока между ними в слое SiOх образуется проводящая цепочка нанокристаллов кремния, которая также может разрываться и воссоединяться, демонстрируя свойства переключателя. Размер нанокристаллов — около 5 нм.

«Основное преимущество этой схемы — её простота», — говорит один из авторов Джеймс Тур (James Tour). Получаемый элемент энергонезависимой памяти имеет, к примеру, всего два вывода, а не три, поскольку ему не приходится хранить заряд; кроме того, такие элементы вполне можно организовать в трёхмерный массив.

Изготовленный в партнёрстве с компанией PrivaTran опытный образец микросхемы памяти, содержащей 1 000 отдельных ячеек на базе оксида кремния, уже проходит испытания. Как сообщается, элементы демонстрируют быстрое переключение (менее 100 нс) и хороший ресурс (10 000 циклов записи и стирания). Они также должны выдерживать воздействие ионизирующего излучения, что позволит использовать их в системах военного и космического назначения.

Полная версия отчёта будет опубликована в журнале Nano Letters.

Подготовлено по материалам Университета Райса.
http://science.compulenta.ru/559033/

PS Теперь память будут делать из песка...
HD Video - верный партнер! Защита от ЭМИ - энергия жизни

Iceberg
V.I.P.
Зарегистрирован: 17.03.2010
Сообщений: 12044
Обратиться по нику
# Добавлено:Чт Сен 02, 2010 11:11 amОтветить с цитатой
всё, опять компы, сотики менять Smile

Miss Content
V.I.P.
Зарегистрирован: 05.03.2010
Сообщений: 7881
Обратиться по нику
# Добавлено:Пт Сен 03, 2010 9:55 amОтветить с цитатой
Скоро найдут какой-нибудь дефект в процессорах и тогда точно придётся всё аппаратуру менять.
Место для Вашей рекламы!
Новая тема Написать ответ    ГЛАВНАЯ ~ НОВОСТИ ИНТЕРНЕТА

Перейти:  





Генеральный спонсор



Партнеры