![]()
Sender
V.I.P. |
Зарегистрирован: 19.05.2006
Сообщений: 3806
|
Обратиться по нику
|
| Sender |
Ответить с цитатой | | |
|
Японские исследователи сообщили о новых достижениях в области разработки памяти с изменяемым фазовым состоянием (РСМ).
Структура ячейки PC-памяти типа NAND
PCM-память рассматривается в качестве потенциальной альтернативы широко распространённым флеш-накопителям. Принцип работы чипов РСМ основан на свойстве материала носителя находиться в двух стабильных фазовых состояниях. В одной из этих фаз вещество представляет собой непроводящий аморфный материал, а в другой — кристаллический проводник. Изменение фазового состояния сопровождается переключением между логическим нулём и единицей.
Японские учёные создали экспериментальные РСМ-микрочипы, в которых используется структура ячеек, характерная для флеш-памяти NAND. По сравнению с другими РСМ-изделиями, интерфейс которых позаимствован у памяти RAM, новые микрочипы, как утверждается, позволяют поднять скорость записи информации на 670% и одновременно добиться 70-процентного выигрыша в потреблении энергии. Правда, при этом теряется возможность произвольного доступа.
Предполагается, что предложенная технология найдёт применение в накопителях с объёмной структурой ячеек памяти.
Создание новых РСМ-микрочипов стало результатом реализации одного из исследовательских проектов, финансируемых японской Организацией разработчиков промышленных технологий и новых источников энергии (NEDO).
Подготовлено по материалам Tech-On!.
[img]http://science.compulenta.ru/681660/[/img] |
|
|
|
|
