![]()
Sender
V.I.P. |
Зарегистрирован: 19.05.2006
Сообщений: 3806
|
Обратиться по нику
|
| Sender |
Ответить с цитатой | | |
|
Швейцарские инженеры из Федеральной политехнической школы Лозанны изготовили полевой транзистор с использованием одиночного слоя молибденита.
Сейчас самым перспективным «двумерным» материалом электроники считается графен, обеспечивающий высокую подвижность носителей заряда. Учёные мгновенно оценили его потенциал, и новые варианты графеновых транзисторов, среди которых встречаются, к примеру, рекордно быстрые, появляются очень часто. У «чистого» графена, правда, есть один существенный недостаток: он не имеет запрещённой зоны. Способы её формирования известны, но дополнительные операции усложняют изготовление транзисторов.
Молибденит — довольно распространённый минерал, сульфид молибдена MoS2 — обычно используется как компонент смазок. Монослои MoS2 в экспериментах демонстрировали запрещённую зону шириной в 1,8 эВ, однако зарегистрированная подвижность носителей заряда (0,5–3,0 см2•В-1•с-1) оказалась слишком мала для применения в электронике.
В своём транзисторе авторы использовали в качестве диэлектрика затвора оксид гафния HfO2, который имеет высокое значение диэлектрической проницаемости. Опыты показали, что при комнатной температуре подвижность носителей поднимается как минимум до 200 см2•В-1•с-1, что сравнимо с показателями графеновых нанолент. Измеренное отношение токов в открытом и закрытом состоянии составило около 108.
Полная версия отчёта опубликована в журнале Nature Nanotechnology.
Подготовлено по материалам Федеральной политехнической школы Лозанны.
http://science.compulenta.ru/590667/ |
|
|
|
|
